Больше параметров
Вы можете перемещать таблицу
схватив ее мышкой
Понятно
Название Число каналов Разрядность [бит] fs [выб/c] SNR [дБпш] SFDR [дБн] INL [МЗР] 2хАЦП [каналов] CAN fc [МГц] I2C Icc [мА] Icc_pd [мА] tA(A) [нс] Емкость [Кбит] Емкость [бит] Ethernet MAC Ethernet PHY Fmin (МГц) Fmax (МГц) Iccs1 [мА] Uout [В] ΔUout [%] Iload [А] Io_lim [А] fs [кГц] Ucc [B] t [C] Скорость передачи данных, VDR
1 1 50 4М (512К*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1636РР1У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4Мбит (512Кх8)
1 1 55 16М (2М*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1636РР2У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 16Мбит (2Мх8)
1 1 50 4М (512К*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1636РР3У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4Мбит (512Кх8)
1 1 55 16М (2М*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1636РР4У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 16Мбит (2Мх8)
2 1 65 1М (128К*8) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1636РР51У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа емкостью 1М (128Кх8)
2 2 65 1М (128К*8) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1636РР52У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа емкостью 1М (128Кх8) и интерфейсом SPI
64М (4М*16, 8М*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1636РР6У

ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 64М (4Мх16, 8Мх8) бит


<15 <15 40 144 144К (16К*9) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РГ1Т
Двухпортовое СОЗУ типа FIFO 144Кбит (16Кх9)
<1 50 256 256К (32К*8) 3.0 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РК1У
Двухпортовое СОЗУ 256Кбит (32Кх8)
1 50 16 16К (2К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РК2Т
Двухпортовое СОЗУ 16Кбит (2Кх8)
256К (32К*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РТ2У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 256Кбит (32Кх8), радиационно стойкое
5 100 2М (128К*16) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РТ3У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 2М (128Кх16), радиационно стойкое
15 70 16К (2К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РТ4Т
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 16 Кбит, радиационно стойкая
15 70 16К (2К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РТ4Т1
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 16 Кбит, радиационно стойкая
15 70 64К (8К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РТ5Т
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 64 Кбит, радиационно стойкая
15 70 64К (8К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РТ5Т1
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 64 Кбит, радиационно стойкая
<15 <1 25 1024 1M (128К*8) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РУ1У
СОЗУ 1Мбит (128Кх8)
<23 <3 55 64 64К (8К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РУ2Т
СОЗУ 64Кбит (8Кх8), радиационно стойкая
<1 <1 20 4096 4М (256К*16) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РУ3У
СОЗУ 4Мбит (256Кх16)
<1 <1 20 4096 4М (256К*16) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РУ3У1
СОЗУ 4Мбит (256Кх16)
<15 <5 30 16384 16М (1М*16) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РУ4У
СОЗУ 16Мбит (1Мх16)
4096 4М (512К*8) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
1645РУ5У
Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов.
30 10 16384 16М (1М*16) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 100
Микросхемы памяти
1645РУ6У
Высокоскоростное СОЗУ 16М (1M х 16 бит)
30 10 16384 16М (1М*16) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 100
Микросхемы памяти
1645РУ6У1
Высокоскоростное СОЗУ 16М (1M х 16 бит)
99 3 73728 72М (2М*36) 3,0 ÷ 3,6 -60 ÷ 85
Микросхемы памяти
1645РУ7Я
Микросхема синхронного статического оперативного запоминающего устройства (ССОЗУ)
1 1 4М (4М*1) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
5576РС1У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4Мбит
для конфигурирования ПЛИС
5 5 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 100
Микросхемы памяти
5576РТ1У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 768Кбит для конфигурирования ПЛИС, радиационно стойкое
20 40М (1М*40) 3,0 ÷ 5,5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
9022РА018
Многокристальный модуль (МКМ) асинхронного статического ОЗУ с повышенной стойкостью к специальным внешним факторам.
100 5М (128К*40) 3,0 ÷ 5,5 -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
9022РТ018
Многокристальный модуль (МКМ) однократно программируемого ПЗУ с повышенной стойкостью к СВВФ.
80 128М (4М*32) 3,0 ÷ 3,6 (5) -60 ÷ 125
Микросхемы памяти
9023РР018
Многокристальный модуль (МКМ) ПЗУ с электрическим перепрограммированием FLASH-типа.