|
<15 |
<80 |
40 |
125 |
-60 |
5.5 |
4.5 |
28 |
144 |
16Кх9 (FIFO) |
— |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РГ1Т
Двухпортовое СОЗУ типа FIFO 144Кбит (16Кх9)
|
|
|
|
<1 |
— |
50 |
125 |
-60 |
5.5 |
3.0 |
64 |
256 |
32Кх8 (2-х портовое) |
— |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РК1У
Двухпортовое СОЗУ 256Кбит (32Кх8)
|
|
|
|
1 |
<130 |
50 |
125 |
-60 |
5.5 |
4.5 |
48 |
16 |
2К х 8 |
— |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РК2Т
Двухпортовое СОЗУ 16Кбит (2Кх8)
|
|
|
|
<1 |
<120 |
25 |
125 |
-60 |
5.5 |
3 |
64 |
1024 |
128Кх8 |
— |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РУ1У
СОЗУ 1Мбит (128Кх8)
|
|
|
|
<3 |
<100 |
55 |
125 |
-60 |
5.5 |
4.5 |
28 |
64 |
8Кх8 |
Да |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РУ2Т
СОЗУ 64Кбит (8Кх8), радиационно стойкая
|
|
|
|
<1 |
<120 |
20 |
125 |
-60 |
3.6 |
3 |
64 |
4096 |
256Кх16 |
— |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РУ3У
СОЗУ 4Мбит (256Кх16)
|
|
|
|
<5 |
<150 |
30 |
125 |
-60 |
3.6 |
3 |
64 |
16384 |
1Мх16 |
— |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РУ4У
СОЗУ 16Мбит (1Мх16)
|
|
|
|
— |
<120 |
— |
125 |
-60 |
5.5 |
3 |
64 |
4096 |
512Kx8 |
Да |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РУ5У
Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов.
|
|
|
|
30 |
200 |
10 |
100 |
-60 |
3.6 |
3 |
64 |
16384 |
1Мх16 |
— |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РУ6У
Высокоскоростное СОЗУ 16М (1M х 16 бит)
|
|
|
|
30 |
200 |
10 |
100 |
-60 |
3.6 |
3 |
64 |
16384 |
1Мх16 |
— |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РУ6У1
Высокоскоростное СОЗУ 16М (1M х 16 бит)
|
|
|
|
30 |
200 |
10 |
85 |
- 60 |
3,6 |
3,0 |
144 |
73728 |
2Мх36 |
— |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
1645РУ7Я
Микросхема синхронного статического оперативного запоминающего устройства (ССОЗУ)
|
|
|
|
— |
— |
20 |
125 |
- 60 |
5,5 |
3,0 |
361 |
— |
1Мх40 |
— |
— |
— |
Оперативные запоминающие устройства
9022РА018
Многокристальный модуль (МКМ) асинхронного статического ОЗУ с повышенной стойкостью к специальным внешним факторам.
|
|
|