Настройка фильтра
Выберите необходимые вам параметры и они будут добавлены в фильтр и таблицу.
Icc [мА] Icc_pd [мА] tA(A) [нс] tmax [С] tmin [С] Ucc_max [В] Ucc_min [В] Емкость [бит] Стойкая к специальным факторам Соответствует 719 постановлению Пластмассовый корпус
Больше параметров
Вы можете перемещать таблицу
схватив ее мышкой
Понятно
Название Число каналов Uout [В] Разрядность [бит] ΔUout [%] fs [выб/c] SNR [дБпш] SFDR [дБн] INL [МЗР] 2хАЦП [каналов] CAN fc [МГц] I2C Icc [мА] Icc_pd [мА] tA(A) [нс] Емкость [Кбит] Емкость [бит] Ethernet MAC Ethernet PHY Fmin (МГц) Fmax (МГц) Icc_pd 1 [мА] Iload [А] Io_lim [А] fs [кГц] Ucc [B] t [C] Скорость передачи данных, VDR
1 1 50 4М (512К*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1636РР1У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4Мбит (512Кх8)
1 1 55 16М (2М*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1636РР2У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 16Мбит (2Мх8)
1 1 50 4М (512К*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1636РР3У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4Мбит (512Кх8)
1 1 55 16М (2М*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1636РР4У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 16Мбит (2Мх8)
2 1 65 1М (128К*8) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1636РР51У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа емкостью 1М (128Кх8)
2 2 65 1М (128К*8) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1636РР52У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа емкостью 1М (128Кх8) и интерфейсом SPI
64М (4М*16, 8М*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1636РР6У

ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 64М (4Мх16, 8Мх8) бит


256К (32К*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ2У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 256Кбит (32Кх8), радиационно стойкое
5 100 2М (128К*16) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ3У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 2М (128Кх16), радиационно стойкое
15 70 16К (2К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ4Т
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 16 Кбит, радиационно стойкая
15 70 16К (2К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ4Т1
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 16 Кбит, радиационно стойкая
15 70 64К (8К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ5Т
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 64 Кбит, радиационно стойкая
15 70 64К (8К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ5Т1
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 64 Кбит, радиационно стойкая
1 1 4М (4М*1) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
5576РС1У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4Мбит
для конфигурирования ПЛИС
5 5 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 100
Постоянные запоминающие устройства
5576РТ1У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 768Кбит для конфигурирования ПЛИС, радиационно стойкое
100 5М (128К*40) 3,0 ÷ 5,5 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
9022РТ018
Многокристальный модуль (МКМ) однократно программируемого ПЗУ с повышенной стойкостью к СВВФ.
80 128М (4М*32) 3,0 ÷ 3,6 (5) -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
9023РР018
Многокристальный модуль (МКМ) ПЗУ с электрическим перепрограммированием FLASH-типа.
2 2 20 1М (128К*8) 3.0 ÷ 5.5 -40 ÷ 85
Постоянные запоминающие устройства
К1636PP52FI
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа с информационной ёмкостью 1 Мбит и организацией (128Кх8) бит
1 1 55  ÷  -45 ÷ 85
Постоянные запоминающие устройства
К1636РР4FI
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 16М (2Мх8) бит
1 1 55 16М (2М*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
К1636РР4У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 16Мбит (2Мх8)
2 2 65 1М (128К*8) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Постоянные запоминающие устройства
К1636РР52У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа емкостью 1М (128Кх8) и интерфейсом SPI