Постоянные запоминающие устройства

Оперативные запоминающие устройства
Iccs [мА]
Iocc [мА]
tA(A) [нс]
tA(CE) [нс]
tmax [С]
tmin [С]
Ucc_max [В]
Ucc_min [В]
Выводов
Емкость [Мбит]
Организация [бит]
Радиационно стойкая микросхема
Настройка фильтра
Выберите необходимые вам параметры и они будут добавлены в фильтр и таблицу.
Iccs [мА] Iocc [мА] tA(A) [нс] tA(CE) [нс] tmax [С] tmin [С] Ucc_max [В] Ucc_min [В] Выводов Емкость [Мбит] Организация [бит] Радиационно стойкая микросхема
Больше параметров
Вы можете перемещать таблицу
схватив ее мышкой
Понятно
Название Iccs [мА] Iocc [мА] tA(A) [нс] tA(CE) [нс] tmax [С] tmin [С] Ucc_max [В] Ucc_min [В] Выводов Емкость [Мбит] Организация [бит] Ethernet MAC Ethernet PHY
1 40 50 60 125 -60 3.6 3 42 4 512Кх8
Постоянные запоминающие устройства
1636РР1У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4Мбит (512Кх8)
1 50 55 65 125 -60 3.6 3 48 16 2Мх8
Постоянные запоминающие устройства
1636РР2У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 16Мбит (2Мх8)
1 40 50 60 125 -60 3.6 3 42 4 512Кх8
Постоянные запоминающие устройства
1636РР3У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4Мбит (512Кх8)
1 50 55 65 125 -60 3.6 3 48 16 2Мх8
Постоянные запоминающие устройства
1636РР4У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 16Мбит (2Мх8)
1 40 65 65 125 -60 5.5 3 42 1 128К х 8
Постоянные запоминающие устройства
1636РР51У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа емкостью 1М (128Кх8)
2 40 65 65 125 -60 5.5 3 16 1 128К х 8
Постоянные запоминающие устройства
1636РР52У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа емкостью 1М (128Кх8) и интерфейсом SPI
125 -60 3.6 3 64 64 4М*16, 8М*8
Постоянные запоминающие устройства
1636РР6У

ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 64М (4Мх16, 8Мх8) бит


50 125 -60 3.6 3 64 256K 32Kx8
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ2У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 256Кбит (32Кх8), радиационно стойкое
5 50 100 100 125 -60 5.5 3 64 2 128К х 16/256К х 8
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ3У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 2М (128Кх16), радиационно стойкое
15 50 70 125 -60 5.5 4.5 24 12К х 8
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ4Т
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 16 Кбит, радиационно стойкая
15 50 70 125 -60 5.5 4.5 24 12К х 8
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ4Т1
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 16 Кбит, радиационно стойкая
15 50 70 125 -60 5.5 4.5 24 8К х 8
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ5Т
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 64 Кбит, радиационно стойкая
15 50 70 125 -60 5.5 4.5 24 8К х 8
Постоянные запоминающие устройства
1645РТ5Т1
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 64 Кбит, радиационно стойкая
1 50 125 -60 3.6 3 28 4
Постоянные запоминающие устройства
5576РС1У
ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4Мбит
для конфигурирования ПЛИС
5 40 100 -60 3.6 3 64 1 2Mx8
Постоянные запоминающие устройства
5576РТ1У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 768Кбит для конфигурирования ПЛИС, радиационно стойкое
100 125 - 60 5,5 3,0 169 5 128Кх40
Постоянные запоминающие устройства
9022РТ018
Многокристальный модуль (МКМ) однократно программируемого ПЗУ с повышенной стойкостью к СВВФ.
80 125 - 60 3,6 (5) 3,0 225 128 4Мх32
Постоянные запоминающие устройства
9023РР018
Многокристальный модуль (МКМ) ПЗУ с электрическим перепрограммированием FLASH-типа.