tmax [С°]
tmin [С°]
Напряжение питания [В]
Частотный диапазон [ГГц]
Режим работы
Типовая длительность импульсов [мкс]
Скважность
Выходная импульсная мощность, не менее [Вт]
Коэффициент усиления по мощности, не менее [дБ]
КПД стока, не менее [%]
Напряжение отсечки, типовое [В]
Остаточный ток стока, не более [мкА]
Ток утечки затвора, не более [мкА]
Импульсное тепловое сопротивление, типовое [°C/Вт]
Корпус
Больше параметров
Вы можете перемещать таблицу
схватив ее мышкой
Понятно
Название Корпус Маркировка t [C] Ucc [B] Число каналов Uout [В] Разрядность [бит] ΔUout [%] fs [выб/c] SNR [дБпш] SFDR [дБн] INL [МЗР] 2хАЦП [каналов] CAN fc [МГц] I2C Icc [мА] Iccs [мА] tA(A) [нс] Емкость [Кбит] Емкость [бит] Ethernet MAC Ethernet PHY Fmin (МГц) Fmax (МГц) Iccs1 [мА] Напряжение питания [В] Частотный диапазон [ГГц] Режим работы Типовая длительность импульсов [мкс] Скважность Выходная импульсная мощность, не менее [Вт] Коэффициент усиления по мощности, не менее [дБ] КПД стока, не менее [%] Напряжение отсечки, типовое [В] Остаточный ток стока, не более [мкА] Ток утечки затвора, не более [мкА] Импульсное тепловое сопротивление, типовое [°C/Вт] Iload [А] Io_lim [А] fs [кГц] Скорость передачи данных, VDR
М MGN16-1000A -40 ... 125  ...  50 DC - 2,0 импульсный 300 10 1000 14 50 -3,0 500 -80 0,10
Силовая СВЧ-электроника
MGN16-1000A
MGN16-1000A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 1000 Вт. 
М MGN16-1200A -40 ... 125  ...  50 DC - 2,0 импульсный 300 10 1200 14 50 -3,0 500 -80 0,10
Силовая СВЧ-электроника
MGN16-1200A
MGN16-1200A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 1200 Вт. 
М MGN16-200A -40 ... 125  ...  50 DC - 3,0 импульсный 300 10 200 15 50 -3,0 300 -80 0,19
Силовая СВЧ-электроника
MGN16-200A
MGN16-200A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 200 Вт. 
М MGN16-250A -40 ... 125  ...  50 DC - 3,0 импульсный 300 10 250 14 50 -3,0 300 -80 0,17
Силовая СВЧ-электроника
MGN16-250A
MGN16-250A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 250 Вт. 
М MGN16-500A -40 ... 125  ...  50 DC - 2,0 импульсный 300 10 500 14 50 -3,0 500 -80 0,12
Силовая СВЧ-электроника
MGN16-500A
MGN16-500A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 500 Вт.
М MGN16-50A -40 ... 125  ...  50 DC - 6,0 импульсный 300 10 50 15 50 -3,0 300 -25 0,39
Силовая СВЧ-электроника
MGN16-50A
MGN16-50A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 50 Вт.
П MGN16-50B -40 ... 125  ...  50 DC - 6,0 импульсный 300 10 50 15 50 -3,0 300 -25
Силовая СВЧ-электроника
MGN16-50B
MGN16-50B — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 50 Вт. 
М MGN16-600A -40 ... 125  ...  50 DC - 2,0 импульсный 300 10 600 14 50 -3,0 500 -80 0,13
Силовая СВЧ-электроника
MGN16-600A
MGN16-600A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 600 Вт. 
М MGN16-600B -40 ... 125  ...  50 DC - 2,0 импульсный 300 10 600 14 50 -3,0 500 -80 0,11
Силовая СВЧ-электроника
MGN16-600B
MGN16-600B — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 600 Вт.
М MGN1631-10A -40 ... 125  ...  50 DC - 7,0 импульсный 300 10 10 15 50 -3,0 300 -10 0,82
Силовая СВЧ-электроника
MGN1631-10A
MGN1631-10A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 10 Вт. 
П MGN1631-10B -40 ... 125  ...  50 DC - 7,0 импульсный 300 10 10 15 50 -3,0 300 -10
Силовая СВЧ-электроника
MGN1631-10B
MGN1631-10B — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 10 Вт. 
М MGN1643-25A -40 ... 125  ...  50 DC - 6,0 импульсный 300 10 25 15 50 -3,0 300 -15 0,71
Силовая СВЧ-электроника
MGN1643-25A
MGN1643-25A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 25 Вт. 
П MGN1643-25B -40 ... 125  ...  50 DC - 6,0 импульсный 300 10 25 15 50 -3,0 300 -15
Силовая СВЧ-электроника
MGN1643-25B
MGN1643-25B — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 25 Вт. 
М MGN1643-5A -40 ... 125  ...  50 DC - 7,0 импульсный 300 10 5 15 55 -3,0 300 -10 0,91
Силовая СВЧ-электроника
MGN1643-5A
MGN1643-5A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 5 Вт.
П MGN1643-5B -40 ... 125  ...  50 DC - 7,0 импульсный 300 10 5 15 55 -3,0 300 -10
Силовая СВЧ-электроника
MGN1643-5B
MGN1643-5B — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 5 Вт. 
М MGN31-1000A -40 ... 125  ...  50 2,5 - 3,1 импульсный 300 10 1000 10 45 -3,0 500 -80 0,10
Силовая СВЧ-электроника
MGN31-1000A
MGN31-1000A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 1000 Вт. 
М MGN31-100A -40 ... 125  ...  50 DC - 4,0 импульсный 300 10 100 12 45 -3,0 300 -35 0,21
Силовая СВЧ-электроника
MGN31-100A
MGN31-100A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 100 Вт. 
М MGN31-120A -40 ... 125  ...  50 DC - 4,0 импульсный 300 10 120 12 45 -3,0 300 -35 0,27
Силовая СВЧ-электроника
MGN31-120A
MGN31-120A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 120 Вт. 
М MGN31-150A -40 ... 125  ...  50 DC - 4,0 импульсный 300 10 150 11 45 -3,0 300 -45 0,26
Силовая СВЧ-электроника
MGN31-150A
MGN31-150A — мощный СВЧ GaN-транзисторс высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 150 Вт. 
М MGN31-250A -40 ... 125  ...  50 2,5 - 3,1 импульсный 300 10 250 11 45 -3,0 300 -80 0,17
Силовая СВЧ-электроника
MGN31-250A
MGN31-250A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 250 Вт. 
М MGN31-350A -40 ... 125  ...  50 2,5 - 3,1 импульсный 300 10 350 10 45 -3,0 300 -80 0,12
Силовая СВЧ-электроника
MGN31-350A
MGN31-350A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 350 Вт. 
М MGN31-70A -40 ... 125  ...  50 DC - 5,0 импульсный 300 10 70 12 45 -3,0 300 -35 0,25
Силовая СВЧ-электроника
MGN31-70A
MGN31-70A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 70 Вт. 
М MGN43-100A -40 ... 125  ...  50 4 - 4,3 импульсный 300 10 100 10 40 -3,0 300 -35 0,24
Силовая СВЧ-электроника
MGN43-100A
MGN43-100A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 100 Вт. 
М MGN43-120A -40 ... 125  ...  50 4 - 4,3 импульсный 300 10 120 10 40 -3,0 300 -35 0,26
Силовая СВЧ-электроника
MGN43-120A
MGN43-120A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 120 Вт. 
М MGN43-150A -40 ... 125  ...  50 4 - 4,3 импульсный 300 10 120 10 40 -3,0 300 -35 0,26
Силовая СВЧ-электроника
MGN43-150A
MGN43-150A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 150 Вт. 
М MGN43-70A -40 ... 125  ...  50 4 - 4,3 импульсный 300 10 70 11 40 -3,0 300 -35 0,22
Силовая СВЧ-электроника
MGN43-70A
MGN43-70A — мощный СВЧ GaN-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 70 Вт. 
* - М - металлокерамический корпус, П - пластмассовый корпус.