Описание и параметры

Микросхема прецизионного сигма-дельта модулятора с полной гальванической развязкой входного узла. 

Микросхема содержит сигма-дельта модулятор с встроенной гальванической развязкой по питанию и каналам передачи данных.

Микросхема обеспечивает преобразование падения напряжения на датчиках тока типа «шунт» в цифровые данные и передачу цифровых данных на контроллер.

Микросхема предназначена, в первую очередь, для измерений значений напряжения и тока (на датчиках тока типа шунт) в приборах учета электрической энергии совместно с микроконтроллерами общего назначения. 

Микросхема представляет собой полностью дифференциальный, изолированный сигма-дельта модулятор, который преобразует аналоговый сигнал в однобитный цифровой поток со скоростью обновления 1 МГц. Среднее значение этого разворачивающегося во времени цифрового потока прямо пропорционально напряжению входного сигнала.

Поток цифровых нулей и единиц на выходе модулятора передаётся в другую часть микросхемы, гальванически развязанную ёмкостным барьером.

Это позволяет принимать выходные данные микросхемы непосредственно низковольтным микроконтроллером и избежать дополнительных сложностей с преобразованием уровней.

Использование внешнего микроконтроллера необходимо для осуществления цифровой фильтрации и децимации выходного потока сигма-дельта модулятора.

Ещё одним преимуществом данной микросхемы является то, что для питания её высоковольтной части не требуется отдельный источник питания.

Полностью интегрированный изолированный преобразователь самостоятельно формирует питание для модулятора из питания низковольтной части микросхемы.

При передаче питания используется трансформатор с тонкоплёночным полимером в виде изолятора.

В результате микросхема представляет собой полностью изолированное решение, позволяющее снизить габаритные размеры и стоимость конечного изделия.

Основные характеристики:
  • Напряжение на входах каналов INP, INN от -50 до +50 мВ
  • Отношение сигнал/шум (SNR), 75 дБпш (Частота выдачи данных 8 кГц, каналы INP, INN)
  • Пиковое напряжение изоляции, ~ 2000 В (при воздействии в течении 1 минуты)
  • Максимальное рабочее напряжение изоляции, ~ 690 В (при длительном воздействии)
  • Типовой ток потребления 20 мА
  • Напряжение питания 3,0-3,6 В
  • Рабочий диапазон температур: минус 40 … +85°C
  • Корпус: DFN18
Микросхема MDR5103FI является функциональным аналогом AMC3306M05DWER (пр-во Texas Instruments).
Состояние разработки Разработка топологии кристалла
Варианты поставки изделия Образцы ~ в 2025 г.
Тип корпуса 18-выводной пластмассовый корпус DFN18 (10х13)
Температурный диапазон минус 40°С...+85°С
ТУ Спецификация в разработке
Число каналов 1
fs [выб/c]
SNR [дБпш] 75
Icc [мА] 20
tmax [С] 85
tmin [С] -40
Ucc_max [В] 3.6
Ucc_min [В] 3.0
Все характеристики
MDR5103FI Микросхемы преобразователей
ФИО
Телефон
Email
Ваш вопрос

Наши достижения

630 000 шт. Микросхем в год
22 000 м2 Площадь помещений
1000 Партнеров по всему миру
290 Выполненых НИОКР