Описание и параметры

МИС усилителя мощности Х-диапазона (УМ)

Микросхема MLDR169 v.1 (MLDR169 v.2) представляет собой GaN сверхвысокочастотную монолитную интегральную схему усилителя мощности X-диапазона частот и исполнение v.2 – с узким диапазоном, но повышенными значениями параметров (указаны в скобках).

Основные области применения микросхемы – передающие и приемо-передающие модули радиолокационных систем с активной фазированной антенной решеткой (РЛС с АФАР).

Применение: телекоммуникационные и радиолокационные приложения, измерительная аппаратура
Тип корпуса бескорпусная
Температурный диапазон от минус 60 до +85
tmax [С] 85
tmin [С] -60
Ucc_max [В] 32
Ucc_min [В] 27
Fmin (МГц) 8500 (9000)
Fmax (МГц) 11000 (10000)
Корпус бескорпусная
Все характеристики
MLDR169 СВЧ микросхемы