Описание и параметры

МИС усилителя мощности Х-диапазона (УМ)

Микросхема усилителя мощности СВЧ-сигнала 5418УЕ01Н4 выполнена по двухкаскадной схеме.

В качестве усилительных элементов используются арсенид-галлиевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (pHEMT) с топологической нормой 0,25 мкм.

Область применения: телекоммуникационные и радиолокационные приложения, измерительная аппаратура.
Тип корпуса бескорпусная
Температурный диапазон от минус 40 до +85
tmax [С] 85
tmin [С] -40
Ucc_max [В] 8,5
Ucc_min [В] 7,5
Fmin (МГц) 8000
Fmax (МГц) 11000
Корпус бескорпусная
Все характеристики
5418УЕ01Н4 СВЧ микросхемы