Число каналов
Разрядность [бит]
fs [выб/c]
SNR [дБпш]
INL [МЗР]
CAN
fc [МГц]
I2C
Icc [мА]
Icc_pd [мА]
tA(A) [нс]
tmax [С]
tmin [С]
Ucc_max [В]
Ucc_min [В]
Емкость [Кбит]
Емкость [бит]
Ethernet MAC
Ethernet PHY
Скорость (Макс.) Мбит / с
Стойкая к специальным факторам
Больше параметров
Вы можете перемещать таблицу
схватив ее мышкой
Понятно
Название Число каналов Uout [В] Разрядность [бит] ΔUout [%] fs [выб/c] SNR [дБпш] SFDR [дБн] INL [МЗР] 2хАЦП [каналов] CAN fc [МГц] I2C Icc [мА] Icc_pd [мА] tA(A) [нс] Емкость [Кбит] Емкость [бит] Ethernet MAC Ethernet PHY Fmin (МГц) Fmax (МГц) Icc_pd 1 [мА] Iload [А] Io_lim [А] fs [кГц] Ucc [B] t [C] Скорость передачи данных, VDR
2 1 42 < 15 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1310НМ025
Микросхема двухканального 10-16 разрядного преобразователя сигналов датчиков перемещения СКВТ, ЛДТ, сельсинов
4 8.0/16.0/32.0/50.0 16 0.5 3.135 ÷ 3.465 -60 ÷ 85
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1316НХ035
Прецизионный многоканальный преобразователь напряжения в частоту
256К (32К*8) 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1645РТ2У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 256Кбит (32Кх8), радиационно стойкое
5 100 2М (128К*16) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1645РТ3У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 2М (128Кх16), радиационно стойкое
15 70 16К (2К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1645РТ4Т
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 16 Кбит, радиационно стойкая
15 70 16К (2К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1645РТ4Т1
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 16 Кбит, радиационно стойкая
15 70 64К (8К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1645РТ5Т
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 64 Кбит, радиационно стойкая
15 70 64К (8К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1645РТ5Т1
Микросхема однократно программируемого ПЗУ емкостью 64 Кбит, радиационно стойкая
<23 <3 55 64 64К (8К*8) 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1645РУ2Т
СОЗУ 64Кбит (8Кх8), радиационно стойкая
4096 4М (512К*8) 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1645РУ5У
Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов.
2 50 3 ÷ 5,5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1923ВК014
Специализированный контроллер внешней памяти и набора периферии на базе микропроцессорного 32-битного RISC ядра.
0,008 4 2 3 ÷ 5,5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1923КН014

Микросхема 1923КН014 представляет собой 64-канальный аналоговый коммутатор сигналов от аналоговых генераторов датчиков вольтового, миливольтового диапазонов, параметрических датчиков (терморезисторы), тензометрические датчиков для применения в бортовой аппаратуре телеметрических систем КА, РН и РБ. Выполнен по технологии КНИ 180нм.

0,0052 4.25 2 3 ÷ 5,5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1923КН015

Микросхема 1923КН015 представляет собой 32-канальный аналоговый коммутатор сигналов от аналоговых генераторов датчиков вольтового, миливольтового диапазонов, параметрических датчиков (терморезисторы), тензометрические датчиков для применения в бортовой аппаратуре телеметрических систем КА, РН и РБ. Выполнен по технологии КНИ 180нм.

64 (мульт.) 12 33к ±2 2-20 17 1 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1923КХ014

Микросхема 1923КХ014 представляет собой 64-канальный коммутатор, совмещенный c 12-разрядным АЦП последовательного приближения. Предназначена для обработки сигналов с датчиков и применения в бортовой аппаратуре телеметрических систем КА, РН и РБ. Выполнен по технологии КНИ 180 нм.


1 16 81-31к 83,0 2-16 4.3 0.1 3.0 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1923НВ015

Микросхема 1923НВ015 представляет собой одноканальный дифференциальный 16-разрядный дельта-сигма АЦП. Предназначена для обработки сигналов с датчиков и применения в бортовой аппаратуре телеметрических систем КА, РН и РБ. Выполнен по технологии КНИ 180 нм.

1 100 10/100 10 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1986ВЕ81Т
32-разрядный радиационно стойкий RISC-микроконтроллер на базе процессорного ядра ARM Cortex-M4F.
1 100 10/100 10 3 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
1986ВЕ8Т
32-разрядный радиационно стойкий микроконтроллер на базе микропроцессорного RISC ядра
10 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 не более 0.5 Мбит/c
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
5559ИН25У
Радиационно стойкая микросхема приемопередатчика интерфейса RS-485
10 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 не более 2.5 Мбит/c
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
5559ИН26У
Радиационно стойкая микросхема приемопередатчика интерфейса RS-485
30 4.5 ÷ 5.5 -60 ÷ 125 не более 30 Мбит/c
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
5559ИН27У
Радиационно стойкая микросхема приемопередатчика интерфейса RS-485
0.05 1.65 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
5572ИН1У
Шинный формирователь выходных уровней
0.03 1.65 ÷ 5.5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
5572ИН2У
Шинный формирователь выходных уровней
5 5 3 ÷ 3.6 -60 ÷ 100
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
5576РТ1У
Однократно программируемое ПЗУ на основе элемента antifuse 768Кбит для конфигурирования ПЛИС, радиационно стойкое
20 40М (1М*40) 3,0 ÷ 5,5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
9022РА018
Многокристальный модуль (МКМ) асинхронного статического ОЗУ с повышенной стойкостью к специальным внешним факторам.
100 5М (128К*40) 3,0 ÷ 5,5 -60 ÷ 125
Микросхемы с повышенным уровнем стойкости
9022РТ018
Многокристальный модуль (МКМ) однократно программируемого ПЗУ с повышенной стойкостью к СВВФ.